Группа приборов 2. Фотодиоды и фототранзисторы
Подгруппа приборов 2.2. Р-i-n фотодиод
| Фототок фотодиода (Jp) при Ee = 1 мВт/см2, λmax = 870нм, Up = 10В , мкА | Быстродействие излучателя (t) при Up = 10В, Rn = 50Ом , нс | Темновой ток (JT) при Up = 10В , нА | |||
|---|---|---|---|---|---|
| не менее | типичн. знач. | не более | не более | типичн. знач. | |
| У-258 | 40 | 60 | 5 | 2 | 1 |
| www.optelcenter.ru | webmaster@optelcenter.ru | Авторские права НПЦ «ОПТЭЛ» | Продукция |